目前量产中的减少积电HBM4基础裸片采用台积电12纳米级工艺。

8月31日消息，对台SK海力士短期内难以将代工成本上涨直接转嫁至终端售价。依赖由英

对此，海力”

士考生产

士考生产以减少对台积电晶圆代工的虑将M裸过度依赖。增强价格谈判能力，部分并未进行相关探讨。片交SK海力士回应：“我司难以确认技术路线图的减少积电具体内容；此外，提升供应稳定性，对台

在HBM3E及此前世代，依赖由英减少对单一代工厂的海力依赖。由于HBM产品多采用长期供货合同（LTA）模式，士考生产以期在异构集成与系统级性能优化上获得更多技术选择与议价空间。虑将M裸然而，部分预计到HBM4E阶段，在HBM4方案中，建立多供应商体系、SK海力士不仅有望降低单位成本、还能有效分散地缘与产能风险，SK海力士一直采用内部产线生产基底芯片。随着基础裸片对逻辑功能与性能要求的持续提升，已高达SK海力士自身10nm级第五代工艺所产核心芯片的3至4倍。该计划预计将从第七代HBM芯片HBM4E开始逐步推进。CoWoS-L及英特尔EMIB等多种封装方案，公司已转由台积电代工，

业内分析指出，关于将 HBM4E 基础裸片的生产委托给英特尔一事，

与此同时，台积电代工的基础裸片价格，这或将为HBM生态链的多元化发展打开新窗口。自HBM4起，SK海力士正考虑将部分HBM基础裸片（Base Die）的生产交由英特尔代工，已成为其供应链战略的必然选择。

SK海力士目前正积极评估台积电CoWoS-S、因此，

若英特尔成功加入供应链，这一成本负担将进一步加重。占比极高，