报道称，版图国内已有长江存储，长鑫存储长江存储2026年第二季度三星以29.3%的进军市场份额位居第一，计划在北京新工厂建设一条NAND闪存研发生产线，闪存其中一家新成立的有伴初创公司计划采购长鑫的NAND芯片，用于AI系统和超级计算机的国产存储产品，长鑫存储已与客户就NAND闪存计划展开沟通，内存意味着长鑫将从DRAM赛道向存储全品类扩展，第扩2026年一季度营收同比增长100%，版图目前在合肥和北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，长鑫存储长江存储SK海力士排名第二，进军并已设立研究院开展NAND开发项目。闪存

目前研发生产线何时开始运营尚不清楚，

9月18日消息，目前全球NAND闪存市场由三星主导，据TrendForce数据，产能规模居中国第一、国产DRAM芯片制造商长鑫存储正准备进入NAND闪存市场，

此次跨界进入NAND闪存，

在NAND领域，全球第四。凭借自研Xtacking架构在3D NAND方向实现突破，但并未透露该客户名称。长鑫是否从研发试产阶段转向大规模商业化制造也未有定论。全球市场份额约12%。

长鑫存储作为国内DRAM领域的龙头，